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2019-01-04
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)華測(cè)導(dǎo)電與防靜電體積表面電阻率測(cè)試儀將半導(dǎo)電材料檢測(cè)穩(wěn)定性做到j(luò)i致，偏差1/60，抗干擾性能提高300倍。升級(jí)了的2kV浮動(dòng)電路新的HC浮動(dòng)電路與三軸連接器組合使用可有效增強(qiáng)對(duì)電源干擾或外來干擾的穩(wěn)定性(重復(fù)精度)大幅提升。普通的使用環(huán)境的偏差為0.007%(代表值)與以往機(jī)型相比減少至1/60，更值得一提的是在摻雜50V突發(fā)干擾的條件下減少至1/300。16mm大口徑三軸連接器電流輸入端口全新采用大口徑三軸連接器，是將內(nèi)部屏蔽連接至GUARD(COM)線，外部屏蔽...2019-01-04
鐵電材料在材料中占據(jù)的位置及鐵電材料測(cè)試系統(tǒng)的應(yīng)用鐵電材料是一種存在自發(fā)極化的材料，且自發(fā)極化有兩個(gè)或多個(gè)可能的取向，在電場(chǎng)作用下，其取向可以改變。它具有介電、壓電、熱釋電、鐵電以及電光效應(yīng)、聲光效應(yīng)、光折變效應(yīng)和非線性光學(xué)效應(yīng)等重要特性。鐵電體概括起來可以分成兩大類，一類以KH2PO4為代表，具有氫鍵，從順電相過渡到鐵電相是無序到有序的相變，屬有序無序型。另一類為位移型鐵電體，以BaTiO3為代表，從順電相到鐵電相轉(zhuǎn)變是由其中兩個(gè)子晶格發(fā)生相對(duì)位移。鐵電材料，是指具有鐵電效...2019-01-04
關(guān)于Huace103型靜電計(jì)技術(shù)指導(dǎo)及應(yīng)用Huace103型靜電計(jì)技術(shù)指標(biāo)：1、測(cè)量范圍：DC±0.0001V～±200V2、度：±（0.5％讀數(shù)＋2字）3、輸入阻抗：1×1014Ω（100TΩ）4、漂移：時(shí)間漂移：24小時(shí)小于0.1%;溫度漂移小于0.01%/℃5、電源：220VAC、50HZ10W6、質(zhì)量：2KG7、尺寸：220mm×230mm×80mm輸入連接器：BNC連接器在后面板。顯示：12字符真空熒光顯示。量程：自動(dòng)或手動(dòng)...2019-01-03
測(cè)量低電平直流電壓需要的功能往往遠(yuǎn)超過數(shù)字萬用表（DMM）所能提供的。一般地說，DMM的靈敏度不足以測(cè)量1100mV以下的電壓。即便在較高的電壓上，DMM的輸入壓降（voltageburden）達(dá)到幾百毫伏，因此不能測(cè)量電壓。靜電計(jì)能測(cè)量低電流壓，但是測(cè)量極低電壓所需的電路以及電壓、電阻和電荷測(cè)量等功能會(huì)大大增加靜電計(jì)的成本。103型靜電計(jì)結(jié)合了DMM的經(jīng)濟(jì)性和易用性以及采用OP128靜電極放大器提高設(shè)備的靈敏度。4位半103型靜電計(jì)結(jié)合了華測(cè)高靈敏度電壓、電流測(cè)量儀器的技術(shù)...2019-01-02
何時(shí)需要使用皮安表？測(cè)量低電平直流電流需要的功能往往遠(yuǎn)超過數(shù)字萬用表（DMM）所能提供的。一般地說，DMM的靈敏度不足以測(cè)量100nA以下的電流。即便在較高的電流上，DMM的輸入壓降（voltageburden）達(dá)到幾百毫伏，因此不能測(cè)量電流。靜電計(jì)能測(cè)量低電流，但是測(cè)量極低電流所需的電路以及電壓、電阻和電荷測(cè)量等功能會(huì)大大增加靜電計(jì)的成本。12型皮安表結(jié)合了DMM的經(jīng)濟(jì)性和易用性以及接近靜電計(jì)的微電流靈敏度。在低阻快速模式(FAST)下，其輸入端壓降幾乎為0(μV量級(jí)），在...2019-01-02
皮安電流表一、主要特點(diǎn)1、電流測(cè)量范圍極寬：從毫安、微安、納安、皮安到飛安(±1fA～±20mA)2、體積小、重量輕、度高，1/2位數(shù)字顯示3、性好穩(wěn)定、讀數(shù)方便4、有兩種測(cè)試模式：普通模式(NORMAL)和低阻模式(FAST),在普通模式(NORMAL)即可以很簡便擴(kuò)展到測(cè)量更大的電流，也能測(cè)量極微弱電流和測(cè)量電容較大的測(cè)量對(duì)象。5、在低阻快速模式(FAST)下，其輸入端壓降幾乎為0(μV量級(jí)），在測(cè)量電路中幾乎不產(chǎn)生壓降,也即電流表的內(nèi)阻幾乎為...2019-01-02
高溫四探針測(cè)試儀測(cè)試電阻率的原理和方法高溫四探針測(cè)試儀可以實(shí)現(xiàn)高溫、真空及惰性氣氛條件下測(cè)量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其他導(dǎo)電薄膜的方塊電阻。高溫四探針測(cè)試儀的測(cè)量原理測(cè)量電阻率的方法很多，如三探針法、電容-電壓法、擴(kuò)展電阻法等，四探針法則是一種廣泛采用的標(biāo)準(zhǔn)方法，高溫四探針測(cè)試儀采用經(jīng)典直排四探針原理，同時(shí)采用了雙電測(cè)組合四探針法。經(jīng)典的直排四探針法測(cè)試電阻率，要求使用等間距的探針，如果針間距離不等或探針...